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삼성전자, 파운드리 포럼 마무리…"수율 이슈 다신 없다"

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  - 공장  10 개 부지 확보…4나노 수율 정상화 [디지털데일리 김도현 기자] 삼성전자가 한국 행사를 끝으로 3년 만에 오프라인 개최한 ‘삼성 파운드리 포럼  2022’ 를 마무리했다. 해당 포럼은 팹리스 고객·협력사·파트너 등에 반도체 수탁생산(파운드리) 신기술과 사업 전략을 공개하는 자리다. 지난 3일(현지시각) 미국 실리콘밸리를 시작으로 7일 독일 뮌헨,  18 일 일본 도쿄,  20 일 한국 서울에서 순차적으로 열렸다. 20 일 삼성전자는 서울 강남구 인터내셔널서울코엑스 호텔에서 삼성 파운드리 포럼을 진행했다. 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장은 기조연설을 통해 “반도체 산업은 지정학적 요소, 국제 정세까지 고려하게 됐다. 기술혁신과 안정적인 생산능력(캐파) 확보가 중요하다”며 “삼성전자는 이러한 가치를 실현하기 위해 오랫동안 준비해왔다”고 말했다. 삼성전자는 세계 최초로  GAA ( Gate-All-Around ) 기반 3나노미터( nm ) 반도체를 양산했다.  GAA 는 전류 흐름을 조절하는 트랜지스터의 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿은 면을 4개로 늘린 구조다. 기존 핀펫( FinFET ) 방식보다 접촉면을 1개 더 늘려 전력효율을 높였다. 삼성전자에 따르면 2세대  GAA   3nm  반도체는  4nm  초기 제품 대비 성능  22 %, 전력효율  34 %, 면적  21 %가 개선된다. 앞으로도 삼성전자는 경쟁사보다 먼저 첨단 공정을 개발하겠다는 계획을 공개했다. 오는  2025 년  2nm ,  2027 년  1.4nm  반도체 생산 목표다. 캐파 확대 의지도 드러냈다. 최 사장은 “경기 평택 등 여러 사이트에 공장  10 개 이상 지을 수 있는 부지를 확보했다”며 “ 2024 년까지 시설투자는  10 배 늘리고 선단 노드와 성숙 노드 캐파를 각각 3배,  2.3 배 확장할 것”이라고 밝혔다. 현재 삼성전자는 평택  P4 , 미국 테일러 1라인 등 기초공사를 진행하고 있다. 아울러 ‘쉘 퍼스트’ 전략도 펼친다.